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碳化硅單晶電學(xué)性能的測(cè)試方法 的測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： SJ/T 11499-2015
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位： 工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
發(fā)布日期： 2015-04-30
實(shí)施日期： 2015-10-01
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更新日期： 2021年04月09日
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內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用范德堡法測(cè)試6H、4H等晶型碳化硅單晶的導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率、遷移率、載流子濃度的方法。

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