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化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 26070-2010
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
發(fā)布日期: 2011-01-10
實(shí)施日期: 2011-10-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2025年02月25日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測(cè)試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于GaAs、InP(GaP、GaSb可參照進(jìn)行)等化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測(cè)量。

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