本標準規(guī)定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中代位碳、間隙氧雜質含量的方法。
本標準適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中代位碳、間隙氧雜質含量的測定。
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