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低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

標(biāo) 準(zhǔn) 號： GB/T 13539.4-2016
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位： 上海電器科學(xué)研究院
發(fā)布日期： 2016-04-25
實(shí)施日期： 2016-11-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2017年03月09日
內(nèi)容摘要

本部分的補(bǔ)充要求適用于安裝在具有半導(dǎo)體裝置的設(shè)備上的熔斷體，該熔斷體適用于標(biāo)稱電壓不超過交流1 000 V或直流1 500 V的電路。
如適用，還可用于更高的標(biāo)稱電壓的電路。

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