本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用高分辨X射線衍射儀測(cè)試Ⅲ族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量的方法原理、儀器、測(cè)試環(huán)境、樣品、測(cè)試、測(cè)試結(jié)果的分析、精密度以及測(cè)試報(bào)告。 ?
本標(biāo)準(zhǔn)適用于在氧化物襯底（Al2O3、ZnO等）或半導(dǎo)體襯底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生長(zhǎng)的氮化物(Ga、In、Al)N單層或多層異質(zhì)外延片結(jié)晶質(zhì)量的測(cè)試。其他異質(zhì)外延片結(jié)晶質(zhì)量的測(cè)試也可參考本標(biāo)準(zhǔn)。