本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片（以下簡(jiǎn)稱Low-COP拋光片）的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于對(duì)晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200mm和300mm、晶向<100>、電阻率(0.1～100)Ω·cm的Low-COP拋光片。